职务职称：教授，博士生导师 |
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所在单位：材料科学系 |
联系电话： |
电子邮箱：sxyang@buaa.edu.cn |
办公地点：新主楼D345 |
个人主页：http://shi.buaa.edu.cn/yangshengxue/zh_CN/index.htm |
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Ø 基本情况：
杨圣雪，女，教授，博士生导师。2013.06于东北师范大学化学学院获理学博士学位；2013.05-2015.05于中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室从事博士后研究；2015.05至今，在amjs澳金沙门线路任教；2016.02-2017.02为美国加州大学洛杉矶分校公派博士后。已在国际著名期刊Adv. Mater.、Adv. Funct. Mater.、ACS Nano、Nano Lett.、Appl. Phys. Rev.、Adv. Sci、InfoMat等杂志上发表50余篇SCI论文，H因子31。担任中国材料研究学会青年工作委员会第九届及第十届理事会理事，担任中国材料学会纳米材料与器件专业委员会秘书，担任InfoMat、Nano Research等期刊青年编委。
Ø 主讲课程：
本科生课程：《新型功能材料》
Ø 研究方向：
（1）二维材料合成（CVD/CVT）；二维材料异质结的构筑、器件微纳加工；二维材料器件的电学、光电、磁学、电催化性质研究。
Ø 教学科研成果：
获奖情况：
（1）2020年度国家级人才奖励计划青年学者。
发明专利：
（1）杨圣雪，高凡，一种二维磁性Fe3O4单晶纳米片的制备方法，2022，CN202111067710.2
代表性论文：
[1] Yujia Chen, Shengxue Yang*（通讯作者）, et al. Strain and Interference Synergistically Modulated Optical and Electrical Properties in ReS2/Graphene Heterojunction Bubbles, ACS Nano 2022, https://doi.org/10.1021/acsnano.2c05272.
[2] Tianle Zhang, Shengxue Yang*（通讯作者）, et al. Tuning the Exchange Bias Effect in 2D van der Waals Ferro-/Antiferromagnetic Fe3GeTe2/CrOCl Heterostructures, Adv. Sci. 2022, 9, 2105483.
[3] Shuai Liu, Yujia Chen, Shengxue Yang*（通讯作者）, SnSe field-effect transistors with improved electrical properties, Nano Res., 2021, 15, 1532.
[4] Shengxue Yang*（第一作者/通讯作者）, et al. Strain engineering of two-dimensional materials: Methods, properties, and applications, InfoMat. 2021, 3, 397.
[5] Shengxue Yang*（第一作者/通讯作者）, et al. van der Waals Magnets: Material Family, Detection and Modulation of Magnetism, and Perspective in Spintronics, Adv. Sci. 2021, 8, 2002488.
[6] Shuai Liu, Tianle Zhang, Shengxue Yang*（通讯作者）, Antimonene: A Potential 2D Material, Monoelements: Properties and Applications, 2020, Chapter 2, 27-56.
[7] Tianle Zhang, Shengxue Yang*（通讯作者）, et al. Magnetism and Optical Anisotropy in van der Waals Antiferromagnetic Insulator CrOCl, ACS Nano 2019, 13, 11353.
[8] Shengxue Yang（第一作者）, et al. In-plane Optical Anisotropy and Linear Dichroism in Low-Symmetry Layered TlSe, ACS Nano 2018, 12, 8798.
[9] Shengxue Yang（第一作者）, et al. Highly In-plane Optical and Electrical Anisotropy of Two-Dimensional Germanium Arsenide, Adv. Funct. Mater. 2018, 28, 1707379.
[10] Shengxue Yang*（第一作者/通讯作者）, et al. Highly-anisotropic optical and electrical properties in layered SnSe, Nano Res., 2018, 11, 554.
